二氧化锡半导体薄膜制备的研究
  

编号:99-1443681 | DOC格式 | 4.24M | 36 页

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二氧化锡半导体薄膜制备的研究
Study on Preparation of Tin Oxide Semiconductor
Thin Films

1.97万字 36页 原创作品,已通过查重系统


摘要 SnO2薄膜具有电阻率低,在可见光区域透过率高,热稳定性好,较强的化学稳定性和良好的吸附性而被广泛应用于电极材料、太阳能电池、敏感材料、光电子器件、薄膜电阻器、热反射镜和荧光灯等各种领域。制备SnO2薄膜的方法有很多,包括化学气相沉积法,真空蒸发法,喷雾热解法,脉冲激光沉积法,磁控溅射法,溶胶凝胶法,电子束外延法,基质辅助脉冲激光蒸发法,连续离子层吸附反应法,喷雾凝胶热解法等。溶胶凝胶法因其具有成本低廉,均匀性好,纯度高,可控制变量等优点而被广泛应用。
本论文以氯化亚锡(SnCl2﹒2H2O)和无水乙醇(CH3CH2OH)为前驱体原料,使用溶胶凝胶提拉法制备了一系列SnO2薄膜,并运用X-射线衍射仪(XRD),扫描电镜(SEM),电阻测试仪和原子力显微镜(AFM)对样品薄膜的结构和性能进行了研究。
本文通过掺杂一定比例的Sb来研究所制备样品薄膜的性能,实验结果表明,随着镀膜层数的增加,SnO2薄膜的电阻呈现先减后增的趋势,当镀膜为8层时,电阻降到最低值,因而在其他因素作为变量时镀膜层数均为8层;随着热处理温度的升高,SnO2薄膜的电阻逐渐变小,SEM照片显示在450℃以上时,薄膜的结晶度良好,晶粒尺寸在十个纳米以下;未掺杂SnO2薄膜属于四方金红石型结构,具有微弱的电导性,Sb掺杂没有产生新的晶相,随着Sb掺杂浓度的增加薄膜的电阻值表现出先减小后增大的趋势,在Sb掺杂量为15mol%时,薄膜的电阻降到了最低值0.135MΩ。


关键词 SnO2薄膜 溶胶凝胶法 Sb掺杂改性 导电性能

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