二氧化锡半导体陶瓷掺杂改性的研究
  

编号:99-1443678 | DOC格式 | 7.69M | 37 页

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二氧化锡半导体陶瓷掺杂改性的研究
The research of doping modification in Tin oxide semiconductor ceramics

1.65万字 37页 原创作品,已通过查重系统


摘要 在玻璃行业要想降低能耗就必须依靠电学性能和力学性能都良好的二氧化锡电极的大背景下, 本文利用固相法制备二氧化锡陶瓷电极,并掺杂定量的三氧化二锑(5.8%)和变量的三氧化二镧(0wt%、0.3wt%、0.5wt%、1.0wt%、1.5wt%、2.0wt%)改善二氧化锡的各种性能,在制备过程中严格控制工艺,保证掺杂的三氧化二镧和三氧化二锑均匀进入二氧化锡粉体中。通过高温烧结得到致密的二氧化锡陶瓷。利用多种手段对陶瓷的性能进行了表征,分析不同浓度三氧化二镧的掺杂对二氧化锡陶瓷的影响。结果表明:随着掺杂量的增加,试样的电阻率逐渐降低,体积密度逐渐增大,当三氧化二镧掺杂量为2.0wt%时,试样的电阻密度达到最小值0.084欧姆.厘米,同时其晶体生长也最为完整。根据分析的结果,在文章的最后部分,还对掺杂后的导电机理和烧结致密化机理进行了讨论。



关键词: 二氧化锡 ;三氧化二镧 ;三氧化二锑; 掺杂改性


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